Abstract: $\text{HfO}_{2}$-based ferroelectric field-effect transistor (FeFET) is a viable solution for next-generation 3D NAND technology. This work comprehensively investigates the array-level ...
一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果